Produktbeskrivning
TPS28226 är en höghastighetsdrivkrets för N-kanals MOSFET-transistorer i komplementär halvbryggskonfiguration. Med adaptiv dödtidskontroll och låg fördröjning är den optimerad för applikationer med höga strömmar, exempelvis flerfasiga DC/DC-omvandlare. Lösningen ger hög verkningsgrad, kompakt storlek och låg EMI.
Effektiviteten uppnås med upp till 8,8 V gate-drivspänning, 14 ns dödtid, 14 ns propagationsfördröjning samt 2 A source- och 4 A sink-förmåga. Den låga RDS(on) på 0,4 Ω hos low-side-drivern säkerställer att MOSFET:en hålls under tröskelspänningen vid höga dV/dt-förhållanden, vilket förhindrar genomslag. Inbyggd bootstrapdiod möjliggör användning av N-kanals MOSFET även på high side.
Funktioner:
- Drivning av två N-kanals MOSFET med 14 ns adaptiv dödtid
- Gate-drivspänning: 4,5 V till 8,8 V (optimerad vid 7–8 V)
- Ingångsspänning (system): 3 V till 27 V
- PWM-ingångssignaler: 2,0 V till 13,2 V amplitud
- Stöder MOSFET-belastningar upp till 40 A per fas
- Höghastighetsdrift: 14 ns fördröjning, 10 ns stigtid/falltider, FSW upp till 2 MHz
- Klarar PWM-pulser ned till <30 ns
- Low-side sink-resistans 0,4 Ω förhindrar dV/dt-inducerade genomslag
- 3-läges PWM för avstängning av kraftsteget
- Delad ENABLE-/Power-Good-signal på samma pinne
- Skydd: övertemperatur, UVLO
- Inbyggd bootstrapdiod
Tillämpningar:
- Flerfasiga DC/DC-omvandlare med analog eller digital styrning
- VRM/EVRD-lösningar för stationära och serverplattformar
- Strömreglering för bärbara datorer och mobil utrustning
- Synkron likriktning för isolerade nätaggregat
